日本DISCO公司的科学家们用于一种称作关键无定形黑色反复吸取（keyamorphous-blackrepetitiveabsorption，KABRA）的专利和正在申请专利的激光材料加工技术，可以将碳化硅（SiC）晶圆的生产率提高到原本的四倍，并且在提高产量的同时增加材料损耗。该技术限于于单晶和多晶锭，不管晶体层的倾向如何。目前，SiC功率器件在市场中的渗入较快，主要是因为其产量小、且生产成本低。然而，KABRA方法需要明显提升SiC器件的产量，并且应当需要使SiC器件作为功率器件、空间反射镜、超稳定光学模具和辐射热测量计等产品而取得更好的市场驱动力量。
为了用于厚度为20mm、直径为4英寸的晶锭生产厚度为350μm的SiC晶圆，传统的用于金刚石线锯的加工工艺，切割成每片晶圆必须1.6~2.4小时，随后还要展开双面研磨工艺和最后打磨工艺，从一个晶锭生产30片晶圆，总共必须2.5~3.5天的时间。虽然许多打磨工艺正在研发中，但SiC依然是一种十分柔软的坚硬材料，由于在机械切割成过程中构成浅的平缓凹槽，所以SiC必需十分细心地展开研磨。KABRA晶圆分离出来从其名字上可以显现出，KABRA工艺本质上将激光探讨在SiC晶片的内部，通过反复通过或“无定形黑色反复吸取”，将SiC分解成无定形硅和无定形碳，并构成作为晶圆分离出来基点的一层，即黑色无定形层吸取更好的光，从而需要很更容易地分离出来晶圆（闻图1）。
与传统工艺中的1.6~2.4小时比起，KABRA工艺仅有用25分钟来分离出来每片晶圆，与用于常规切片工艺、每片晶圆将带给200μm的材料损耗比起，KABRA工艺在分离出来期间并不产生材料损耗。此外，金刚石锯片分离出来的晶圆必须16小时的最后研磨时间，这在KABRA工艺中也是不必须的。总之，利用传统工艺，从一个晶锭中生产出有30片晶圆，必须2.5~3.5天的时间；而用于KABRA工艺，从一个晶锭中生产出有44片晶圆，仅有必须18小时的时间，这相等于3~5倍的生产率提高（或者说生产能力约为原本的四倍）。
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