本文摘要：技术创新是推展产业发展的永恒动力。当前，在科技强国的背景下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代长禁带半导体材料凭借着其出色的特性获得了世界各国的高度重视。 由于第三代半导体材料具备十分明显的性能优势和极大的产业造就起到，欧美日等发达国家和地区都把发展碳化硅半导体技术列为国家战略，投放巨资反对发展。 本文将对第三代半导体材料的定义、特性以及各国研发情况展开详尽剖析。 一、第一代半导体材料概况 第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。

技术创新是推展产业发展的永恒动力。当前，在科技强国的背景下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代长禁带半导体材料凭借着其出色的特性获得了世界各国的高度重视。　　由于第三代半导体材料具备十分明显的性能优势和极大的产业造就起到，欧美日等发达国家和地区都把发展碳化硅半导体技术列为国家战略，投放巨资反对发展。

本文将对第三代半导体材料的定义、特性以及各国研发情况展开详尽剖析。　　一、第一代半导体材料概况　　第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用于十分广泛的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和很快发展的新能源、硅光伏产业中都获得了十分普遍的应用于，硅芯片在人类社会的每一个角落莫不闪烁着它的光辉。

　　二、第二代半导体材料概况　　第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体(又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。　　第二代半导体材料主要用作制作高速、高频、大功率以及闪烁电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及闪烁器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的蓬勃发展，还被普遍应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航系统等领域。

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